1. LET9150
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厂商型号

LET9150 

产品描述

.230 X.650 W 4-L BAL LDMOS W/FLG

内部编号

390-LET9150

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:58
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:3
最小起订量:1
美国费城
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LET9150产品详细规格

规格书 LET9150 datasheet 规格书
LET9150
LET9150 datasheet 规格书
文档 LET9150 View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 LET9150 View All Specifications
标准包装 20
晶体管类型 LDMOS
频率 860MHz
增益 20dB
电压 - 测试 32V
额定电流 20A
噪声系数 -
电流 - 测试 600mA
Power - 输出功率 150W
电压 - 额定 80V
包/盒 M246
供应商器件封装 M246
包装材料 Bulk
单位包 20
最小起订量 60
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 80V
标准包装 20
供应商设备封装 M246
电压 - 测试 32V
封装 Bulk
频率 860MHz
增益 20dB
封装/外壳 M246
电流 - 测试 600mA
额定电流 20A
功率 - 输出 150W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 15 V
连续漏极电流 20 A
功率耗散 269 W
输出功率 150 W
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 80 V
RoHS RoHS Compliant
安装 Screw
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 Case M-246
引脚数 5
元件数 2
渠道类型 N
筛选等级 Military
通道模式 Enhancement
弧度硬化 No
频率(最大) 2000 MHz
正向跨导(典型值) 2.5(Min) S
输出电容(典型值) @ VDS 33@28V pF
功率增益(典型值) @ VDS 20 dB
漏极效率(典型值) 69 %
功率耗散(最大) 269000 mW
系列 LET9150
Id - Continuous Drain Current 20 A
工厂包装数量 60
类型 RF Power MOSFET
品牌 STMicroelectronics
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V
Pd - Power Dissipation 269 W
工作频率 2 GHz
技术 Si

LET9150系列产品

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